型号: IRF7706PBF
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 244 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
典型栅极电荷@Vgs: 48 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 2211 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 4.4mm
封装类型: TSSOP
尺寸: 3 x 4.4 x 1mm
引脚数目: 8
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 1510 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.022
最大连续漏极电流: 7 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: P
配置: 四源、单、三漏极
长度: 3mm
高度: 1mm
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