IRF7739L2TR1PBF规格参数_IRF7739L2TR1PBF全国代理商/分销商

型号: IRF7739L2TR1PBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
标准包装： 1,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 46A（Ta），375A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1 毫欧 @ 160A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 330nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 11880pF @ 25V
功率 - 最大值： 3.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等距 L8
供应商器件封装： DIRECTFET L8
其它名称： IRF7739L2TR1PBFTR