型号: IRF7751PBF
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
典型栅极电荷@Vgs: 29 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 1464 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 4.4mm
封装类型: TSSOP
尺寸: 3 x 4.4 x 1mm
引脚数目: 8
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 1000 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.035
最大连续漏极电流: 4.5 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 2
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: P
配置: 双、双源
长度: 3mm
高度: 1mm
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：陈梦，李丽
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈正兵
电话：17771501275
Q Q:
联系人：黄宏宇
电话：15017940560
Q Q:
