型号: IRF7757PBF
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 9.5 ns
典型栅极电荷@Vgs: 15 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds: 1340 pF V @ 15
安装类型: 表面贴装
宽度: 4.4mm
封装类型: TSSOP
尺寸: 3 x 4.4 x 1mm
引脚数目: 8
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 1200 mW
最大栅源电压: ±12 V
最大漏源电压: 20 V
最大漏源电阻值: 0.035
最大连续漏极电流: 4.8 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 2
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 双、双源
长度: 3mm
高度: 1mm
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：刘志
电话：18667040231
Q Q:
联系人：郭丹
电话：13925221367
Q Q:
联系人：魏小凡
Q Q:
