型号:  IRF7780MTRPBF

功能描述:  Infineon DirectFET 系列 N沟道 MOSFET IRF7780MTRPBF, 89 A, Vds=75 V, 6针+焊片 ME封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  MG-WDSON-8

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  89A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.7V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  186nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  6504pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  96W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  5.7 毫欧 @ 53A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  DirectFET™ Isometric ME

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  89 A

最大漏源电压：  75 V

最大漏源电阻值：  5.7 m0hms

最大栅阈值电压：  3.7V

最小栅阈值电压：  2.1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  ME

引脚数目：  6+Tab

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  96 W

正向跨导：  154S

正向二极管电压：  1.2V

最低工作温度：  -55 °C

尺寸：  6.35 x 5.05 x 0.53mm

每片芯片元件数目：  1

宽度：  5.05mm

系列：  DirectFET

典型栅极电荷@Vgs：  124 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  6504 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  60 ns

典型接通延迟时间：  18 ns

最高工作温度：  +150 °C

高度：  0.53mm

长度：  6.35mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs