型号:  IRF7807AHR

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC

制造商:  International Rectifier

最大门源电压：  ±12

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  SOIC

包装高度：  1.5(Max)

安装：  Surface Mount

最大功率耗散：  2500

渠道类型：  N

最大漏源电阻：  25@4.5V

最低工作温度：  -55

最大漏源电压：  30

每个芯片的元件数：  1

包装宽度：  4(Max)

供应商封装形式：  SOIC

包装长度：  5(Max)

PCB：  8

最大连续漏极电流：  8.3

引脚数：  8

铅形状：  Gull-wing

漏极电流（最大值）：  8.3 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �12 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  2.5 W

噪声系数：  Not Required dB

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOIC

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  30 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  8.3 A