型号: IRF7807ZPBF
功能描述: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7.2nC
制造商: International Rectifier
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 11 A
导通电阻： 18.2 mOhms
配置： Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOIC-8
封装： Tube
商标： International Rectifier
下降时间： 3.1 ns
栅极电荷 Qg： 7.2 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 2.5 W
上升时间： 6.2 ns
工厂包装数量： 95
典型关闭延迟时间： 10 ns
ROHS： 无铅
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