型号:  IRF7811AVPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  SO8

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  10.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  14 毫欧 @ 15A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  26nC @ 5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1801pF @ 10V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta）

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  8-SO

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  11.8 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  14 m0hms

最大栅阈值电压：  3V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  SOIC

晶体管配置：  单

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  3 W

长度：  5mm

尺寸：  5 x 4 x 1.5mm

每片芯片元件数目：  1

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  17 nC @ 5 V

典型输入电容值@Vds：  1801 pF @ 10 V

典型关断延迟时间：  43 ns

典型接通延迟时间：  8.6 ns

宽度：  4mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

高度：  1.5mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs