型号: IRF7832TR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： Discrete Power MOSFETs 40V and Below
设计资源： IRF7832TR Saber Model IRF7832TR Spice Model
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.32V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 51nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4310pF @ 15V
功率 - 最大值： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SO
其它名称： *IRF7832TRIRF7832CT
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