型号: IRF7910TRPBF
功能描述: N-Channel 12 V 2 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: SO8
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 15 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1730pF @ 6V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
系列: HEXFET®
FET类型: 2 个 N 沟道(双)
FET功能: 逻辑电平门
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 15 毫欧 @ 8A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 26nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1730pF @ 6V
功率-最大值: 2W
封装形式Package: SOIC
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 12V
连续漏极电流ID: 10A
供应商器件封装: 8-SO
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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