IRF8113GPBF规格参数_IRF8113GPBF全国代理商/分销商

型号: IRF8113GPBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
标准包装： 95
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装：管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 17.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.6 毫欧 @ 17.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 36nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2910pF @ 15V
功率 - 最大值： 2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SO