型号: IRF820ALPBF
功能描述: Single N-Channel 500 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 340pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 50W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装形式Package： TO-262-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 2.5A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 3Ohms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：颜先生
电话：1353817789
Q Q:
联系人：梅良东
电话：13530227631
Q Q:
联系人：陈少铭
电话：13632828979
Q Q:
