型号: IRF820L
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 360pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： I2PAK
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：郭海英
电话：13798387995
Q Q:
联系人：陈孝兵
电话：18319381531
Q Q:
联系人：肖小姐
电话：18219172356
Q Q:
