型号: IRF830ASTRLPBF
功能描述: N-Channel 500 V 3.1 W 24 nC Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 620pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 74W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.4 欧姆 @ 3A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： TO-252-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 5A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 1.4Ohms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
TEX SEEYAN INTERNATIONAL LIMITED
联系人：LEO
电话：13603075810
Q Q:
联系人：徐吉刚
电话：13426409278
Q Q:
联系人：刘小平
电话：15818586925
Q Q:
