型号: IRF840ASTRRPBF
功能描述:
制造商: Vishay
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1018pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 850 毫欧 @ 4.8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：15008931909
Q Q:
联系人：马先生
电话：15118843261
Q Q:
联系人：江
电话：18927937485
Q Q:
