型号:  IRF8707PBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  9.3nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  760pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  11.9 毫欧 @ 11A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  8-SO

封装/外壳：  SO8

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  11 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  12 m0hms

最大栅阈值电压：  2.35V

最小栅阈值电压：  1.35V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  SOIC

引脚数目：  8

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  2.5 W

最低工作温度：  -55 °C

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  5 x 4 x 1.5mm

宽度：  4mm

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  6.2 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  760 pF@ 15 V

典型关断延迟时间：  7.3 ns

典型接通延迟时间：  6.7 ns

高度：  1.5mm

最高工作温度：  +150 °C

长度：  5mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs