型号:  IRF8915TRPBF

功能描述:  MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  8.9 A

Rds On-漏源导通电阻:  21.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  4.9 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.9 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  12 S

下降时间:  3.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7.1 ns

典型接通延迟时间:  6 ns

零件号别名:  SP001554494

单位重量:  506.600 mg