型号:  IRF9393TRPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  SO8

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  9.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.4V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  38nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1110pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  13.3 毫欧 @ 9.2A，20V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  8-SO

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  9.2 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  32.5 m0hms

最大栅阈值电压：  2.4V

最小栅阈值电压：  1.3V

最大栅源电压：  -25 V、+25 V

封装类型：  SOIC

晶体管配置：  单

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  2.5 W

每片芯片元件数目：  1

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

高度：  1.5mm

正向跨导：  13S

正向二极管电压：  1.2V

系列：  HEXFET

尺寸：  5 x 4 x 1.5mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  25 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  1110 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  55 ns

典型接通延迟时间：  16 ns

宽度：  4mm

长度：  5mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs