型号: IRF9530
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 860pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 88W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 300 毫欧 @ 7.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：周煜
电话：18924267523
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13510508629
Q Q:
联系人：谢梓云
电话：19924902278
Q Q:
