型号: IRF9630STRLPBF
功能描述: Single N-Channel 200 V 1.8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
制造商: Vishay
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 6.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 29nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 700pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），74W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 800 毫欧 @ 3.9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： SMD-220
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 6.5A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：王先生
电话：13533889390
Q Q:
联系人：张振文
电话：13902712713
Q Q:
联系人：曾先生
电话：15019463752
Q Q:
