型号:  IRF9952TRPBF

功能描述:  Dual N/P-Channel 30 V 2 W 6.9/6.1 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  SO8

FET 类型：  N 和 P 沟道

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3.5A，2.3A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  100 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  190pF @ 15V

功率 - 最大值：  2W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  N 和 P 沟道

FET功能：  逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  3.5A，2.3A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  100 毫欧 @ 2.2A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  14nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  190pF @ 15V

功率-最大值：  2W

封装形式Package：  SOIC

极性Polarity：  N+P

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  3.5A/2.3A

供应商器件封装：  8-SO

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs