型号:  IRF9Z34NSTRRPBF

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  D2PAK

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  100 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  35nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  620pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  3.8W（Ta），68W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  P 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  19A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  35nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  620pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  100 毫欧 @ 10A，10V

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  55V

连续漏极电流ID：  19A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  35nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  620pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

供应商器件封装：  D2PAK

无铅情况/RoHs：  否