型号: IRFB16N60L
功能描述: MOSFET N-Chan 600V 16 Amp
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流: 16 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 460 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 310 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5.5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 44 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
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