型号: IRFB4110QPBF
功能描述: HEXFET Power MOSFET
制造商: International Rectifier
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 180 A
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
栅极电荷 Qg: 150 nC
功率耗散: 370 W
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