型号:  IRFB7434GPBF

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  195A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.9V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  324nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  10820pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  1.6 毫欧 @ 100A，10V

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-220-3

封装/外壳：  TO220

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  317A

Rds On-漏源导通电阻：  1.25mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.2V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  324nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  294W

通道模式：  Enhancement

商标名：  StrongIRFET

封装：  Tube

高度：  15.65mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.4mm

正向跨导 - 最小值：  211S

下降时间：  68ns

典型关闭延迟时间：  115ns

典型接通延迟时间：  24ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs