型号: IRFB9N65APBF
功能描述: Single N-Channel 650 V 0.93 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 48nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1417pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 167W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 930 毫欧 @ 5.1A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220AB
封装形式Package： TO-220-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 650V
连续漏极电流ID： 8.5A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 930mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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