型号: IRFBC30L
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 31nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 660pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2.2 欧姆 @ 2.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： I2PAK
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：蔡生
电话：18617176119
Q Q:
联系人：赵s
电话：18902449956
Q Q:
联系人：even
电话：13385474949
Q Q:
