型号:  IRFBE30PBF

功能描述:  MOSFET N-CH 800V HEXFET MOSFET

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220AB-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  4.1 A

Rds On-漏源导通电阻:  3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  78 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  125 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  15.49 mm

长度:  10.41 mm

系列:  IRFBE

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.7 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  2.5 S

下降时间:  30 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  33 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  82 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

单位重量:  6 g