型号: IRFBF20STRRPBF
功能描述: N Chan, 900V ,1.7A ,8OHMS @ 10V, D2PAK (TO-263)
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.7A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 490pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），54W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 8 欧姆 @ 1A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： TO-252-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 900V
连续漏极电流ID： 1.7A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 8Ohms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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