型号: IRFBG30
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 80nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 980pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5 欧姆 @ 1.9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖
电话：23576511
Q Q:
联系人：詹
Q Q:
联系人：王天天
电话：13636613189
Q Q:
