型号: IRFC120NB
功能描述: MOSFET 100V 9.4A DIE
制造商: Infineon Technologies
Series: HEXFET®
Package: Bulk
FET Type: -
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Vgs (Max): -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: -
FET Feature: -
Power Dissipation (Max): -
Operating Temperature: -
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: Die
Package / Case: Die
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