型号: IRFD213
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 450mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2 欧姆 @ 270mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 8.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 140pF @ 25V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 通孔
封装/外壳： 4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装： 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
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