型号: IRFD213
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 450mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2 欧姆 @ 270mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 8.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 140pF @ 25V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 通孔
封装/外壳： 4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装： 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：凌东升
电话：13923792283
Q Q:
联系人：刘丽君
Q Q:
联系人：刘力
电话：021-54289968
Q Q:
