型号: IRFD9110PBF
功能描述: MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HVMDIP-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 700 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 8.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: IRFD
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 0.6 S
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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