型号:  IRFH4251DTRPBF

功能描述:  Dual N-Channel 25 V 31/63 W 15 nC SMT Hexfet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TISON-8

FET 类型：  2 个 N 通道（双），肖特基

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  64A，188A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 35µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1314pF @ 13V

功率 - 最大值：  31W，63W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  FASTIRFET™

FET类型：  2 个 N 通道（双），肖特基

FET功能：  逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  64A，188A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3.2 毫欧 @ 30A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 35µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1314pF @ 13V

功率-最大值：  31W，63W

封装形式Package：  PQFN

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  25V

连续漏极电流ID：  64A/188A

供应商器件封装：  PQFN（5x6）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs