型号: IRFH5110TR2PBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRFH5110TR2PBF Saber Model IRFH5110TR2PBF Spice Model
特色产品： Mid-Voltage Power MOSFETs
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 11A（Ta），63A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 12.4 毫欧 @ 37A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3152pF @ 25V
功率 - 最大值： 3.6W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVQFN
供应商器件封装： PQFN（5x6）
其它名称： IRFH5110TR2PBFCT
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