型号: IRFH5207TRPBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块: High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源: IRFH5207TR2PBF Saber Model IRFH5207TR2PBF Spice Model
标准包装: 4,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: HEXFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 13A(Ta),71A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 9.6 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2474pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVQFN
供应商器件封装: PQFN(5x6)
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