型号:  IRFH7107TRPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7107TRPBF, 75 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TDSON-8

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  14A（Ta），75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.5 毫欧 @ 45A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  72nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3110pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  3.6W（Ta），104W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  72nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3110pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

供应商器件封装：  8-PQFN（5x6）

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  75 A

最大漏源电压：  75 V

最大漏源电阻值：  8.5 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  PQFN

晶体管配置：  单

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  104 W

正向跨导：  68S

每片芯片元件数目：  1

正向二极管电压：  1.3V

尺寸：  5.85 x 5 x 1.17mm

系列：  HEXFET

高度：  1.17mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  48 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  3110 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  20 ns

典型接通延迟时间：  9.1 ns

宽度：  5mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

长度：  5.85mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs