型号: IRFH7187TRPBF
功能描述: MOSFET N-CH 100V 18A
制造商: Infineon (英飞凌)
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 18A(Ta),105A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.6V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2116pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),132W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 6 毫欧 @ 50A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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