型号: IRFH7187TRPBF
功能描述: MOSFET N-CH 100V 18A
制造商: Infineon (英飞凌)
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 18A（Ta），105A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.6V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2116pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），132W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 6 毫欧 @ 50A，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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