型号:  IRFH7911TRPBF

功能描述:  Dual N-Channel 30 V 8.6 mO 34 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PQFN 5X6 18L

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  13A，28A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.6 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  12nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1060pF @ 15V

功率 - 最大值：  2.4W，3.4W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  2 个 N 沟道（双）

FET功能：  逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  13A，28A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  8.6 毫欧 @ 12A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 25µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  12nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1060pF @ 15V

功率-最大值：  2.4W，3.4W

封装形式Package：  PQFN

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  13A/28A

供应商器件封装：  PQFN（5x6）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs