型号: IRFH8303TRPBF
功能描述: MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
制造商: Infineon / IR
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 58 nC
Pd-功率耗散: 156 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.83 mm
长度: 6 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 158 S
下降时间: 65 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 91 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: SP001554820
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