型号:  IRFH8337TRPBF

功能描述:  MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PQFN-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  16.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  19.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3.2 W

配置:  Single

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.83 mm

长度:  6 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  31 S

下降时间:  4.1 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  5.7 ns

典型接通延迟时间:  6.4 ns

零件号别名:  SP001560430