型号:  IRFHM830TRPBF

功能描述:  Single N-Channel 30 V 6 mO 15 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TSDSON-8

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  21A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  31nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2155pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  2.7W（Ta），37W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.8 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  21A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 50µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  31nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2155pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3.8 毫欧 @ 20A，10V

封装形式Package：  PQFN

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  21A

供应商器件封装：  PQFN（3x3）

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs