型号: IRFHM9331TRPBF
功能描述: Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PQFN 3X3 8L
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A(Ta),24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V,20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 10 毫欧 @ 11A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 48nC @ 10V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1543pF @ 25V
功率耗散(最大值): 2.8W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
系列: HEXFET®
FET类型: P 沟道
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 11A(Ta),24A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V,20V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 48nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1543pF @ 25V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 10 毫欧 @ 11A,20V
封装形式Package: PQFN
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 11A
供应商器件封装: PQFN(3x3)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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