型号: IRFHS9351TR2PBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRFHS9351TR2PBF Saber Model IRFHS9351TR2PBF Spice Model
特色产品： Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： HEXFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.3A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 170 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 160pF @ 25V
功率 - 最大值： 1.4W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-PowerVQFN
供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）
其它名称： IRFHS9351TR2PBFCT
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