型号:  IRFI4212H-117P

功能描述:  Dual N-Channel 100 V 18 W 12 nC Digital Audio Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK-5

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  FULLPAK220

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  标准

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  11A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  72.5 毫欧 @ 6.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  490pF @ 50V

功率 - 最大值：  18W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

FET类型：  2 个 N 沟道（双）

FET功能：  标准

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  72.5 毫欧 @ 6.6A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  18nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  490pF @ 50V

功率-最大值：  18W

封装形式Package：  TO-220FP

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  100V

连续漏极电流ID：  11A

供应商器件封装：  TO-220-5 整包

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs