型号: IRFI610BTU_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 3.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.5 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: I2PAK
封装: Tube
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.13 W
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 20 ns
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：赵
电话：15398479821
Q Q:
联系人：杨宇豪
电话：18611065430
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13590279456
Q Q:
