型号: IRFI640G
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9.8A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 180 毫欧 @ 5.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1300pF @ 25V
功率 - 最大值： 40W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： *IRFI640G
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：曹泷
电话：18127050390
Q Q:
联系人：杨锦潼
电话：15914154477
Q Q:
联系人：余倩
电话：18976149727
Q Q:
