型号: IRFI820GPBF
功能描述: Single N-Channel 500 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 360pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 30W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3 欧姆 @ 1.3A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片
封装形式Package： TO-220-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 2.1A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 3Ohms
栅源极阀值电压VGS(th)： 2Vto4V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：汪轩
电话：18379948831
Q Q:
联系人：段小姐
Q Q:
联系人：庞琳
电话：18986069172
Q Q:
