型号:  IRFIZ34GPBF

功能描述:  Single N-Channel 60 V 0.05 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220 FULLPAK

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  20A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  46nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1200pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  42W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  50 毫欧 @ 12A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3 全封装，隔离接片

封装形式Package：  TO-220-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  37A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  18mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  2Vto4V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs