型号:  IRFL024ZPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024ZPBF, 5.1 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  5.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  14nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  340pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  57.5 毫欧 @ 3.1A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  SOT-223

封装/外壳：  SOT223

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  5.1 A

最大漏源电压：  55 V

最大漏源电阻值：  58 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  SOT-223

引脚数目：  3+Tab

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  2800 mW

尺寸：  6.7 x 3.7 x 1.7mm

系列：  HEXFET

宽度：  3.7mm

最低工作温度：  -55 °C

每片芯片元件数目：  1

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  9.1 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  340 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：  30 ns

典型接通延迟时间：  7.8 ns

高度：  1.7mm

最高工作温度：  +150 °C

长度：  6.7mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs